微电子技术
Microelectronic Technology
本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物，国内外公开发行。它是由信息产业部主管，中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象，是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:黄卫
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文主要讨论超薄栅介质和隧道氧化层的各种击穿机理,以及评价参数,并结合实际探讨超薄栅介质和隧道氧化层的测试结构,测试和分析技术等有关击穿特性的论证方法,为亚微米工艺,E2PROM工艺和Flashmem |
| 关 键 词：电流密度 击穿特性 隧道氧化层 测试结构 超薄栅介质 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:丁荣峥
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 关 键 词：内热阻 门阵列电路 管壳 集成电路封装 封装工艺 散热器 散热片 芯片焊接 热效应 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:陈娟英
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 关 键 词：延长时间 显示法 电路片 电解液 工作条件 显示效果 半导体 低浓度 浅结 结构参数 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:张晓雪
作者单位:合肥合晶电子有限责任公司 |
| 最近,德国西门子公司和慕尼黑微电子技术协会,成功研制出完全集成的1.3W硅MMIC.该芯片是用25GHZ的fT,0.8μm三层相互连接的硅双极生产工艺完成的,该功率放大器适用于3.4V至5V的无绳电话 |
| 关 键 词：功率附加效率 最大输出功率 无绳电话 电荷存储 功率放大器 工作频率 MMIC 发射极扩散电容 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:徐政
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 关 键 词：超薄氧化层 氧化层厚度 清洗方法 成品率 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:严玮
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 关 键 词：制备技术 氮化硅 PECVD 均匀性 生长速率 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:刘文俊
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
| BiCMOS技术将双极器件和CMOS器件有机结合起来,充分发挥它们各自长处,使其既具有双极电路高速、强驱动能力的优产、,又具有CMOS高集成度、低功耗的优声、,已成为LSI和VLSI电路的重要发展方向 |
| 关 键 词：BICMOS 双极电路 CMOS 多晶硅 存储器 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:蔡菊荣
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
| IC已有39年发展历史.有人曾预测硅技术已接近发展极限,引起人们关注.在这世纪之交的数年内,IC如何发展.该文对IC技术以及IC水平的现状和基本趋势作出了试析,并对IC前沿技术的发展提出了看法. |
| 关 键 词：IC现状 IC水平 IC技术 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:杨文
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文通过对不同条件下双层金属通孔电阻的测试,验证了反溅射再淀积现象的存在,并通过对比实验,分析了影响再淀积的因素和其对电路可靠性的影响. |
| 关 键 词：溅射速率 双层金属 超大规模集成电路 物理溅射 溅射时间 氧化铝 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1997年
005期
作者:肖志强
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文以中国华晶中央研究所1.0微米工艺线为例,探讨了国内中小批量ASIC加工线提高成品率所考虑的几个因素,并介绍了电话机拨号电路9145在开发阶段,为提高成品率所面对的几个问题及解决方法. |
| 关 键 词：ASIC 掩模版 小批量 设计规则 提高成品率 加工线 电话机拨号电路 |
