全部字段 标题 作者 授予单位 关键词 
当前位置:首页>学术期刊>中文期刊>微电子技术
期刊封面
双月刊  1972
期刊信息
主管单位: 信息产业部
主编: 桑宇清
ISSN: 1008-0147
CN: 32-1479/TN
地址: 江苏省无锡市梁溪路14号(无锡105信箱)
邮政编码: 214061
电话: 0510-85807123-2228
Email: qbzls@mail.huajing.com.cn
网址:

微电子技术

分享到:
Microelectronic Technology

本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物,国内外公开发行。它是由信息产业部主管,中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象,是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。

  •     目录   << 1995年 004 期 >>
1. 国家半导体公司开发TI硅化物新工艺原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:黎星   
关 键 词:国家半导体公司 硅化物
2. 富士通出售16M位快速存储器,与AMD共同开发,芯片尺寸为87.12MM~2原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:松源   
关 键 词:芯片尺寸 富士通 快速存储 共同开发
3. 拉晶条件对单晶中氧含量及其分布的影响原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:孙伯祥    作者单位:无锡华润微电子有限公司
该文主要讨论了控制单晶中氧含量的重要性,分析了拉晶条件与硅单晶中氧含量分布情况之间的关系,实验结果得出:改变拉单晶的转速、坩锅的转速对单晶中氧含量的多少及分布有较大的影响,而拉晶的速度对之影响较小.
关 键 词:单晶 氧含量
4. 微米、亚微米掩模等离子刻蚀技术初探原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:严剑荫    作者单位:无锡华润微电子有限公司
该文将着重阐述等离子刻蚀技术在制作超大规模集成电路中精细掩模的优越性及工艺原理.然后结合介绍等刻设备LFE501的特性和具体实验报告,分析等刻技术在进入实用阶段时的技术难点.最后简述一下等刻技术在掩模
关 键 词:射频功率 亚微米 反应气体 等离子刻蚀 刻蚀速率 离子刻蚀技术
5. 在同一机器上进行铁镍和铜材引线框的SN/PB电镀 (被引次数:1) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:王铁坤    作者单位:无锡华润微电子有限公司
研究了在同一台机器上进行铁镍和铜材两种不同材质的塑封引线框的Sn/Pb电镀工艺.该文根据两种材质的不同性质和要求,着重描述了前处理过程中为防止交叉污染所采取的各项措施以及对工艺和设备所提出的要求,还阐
关 键 词:水洗槽 引线框 铜材 工件表面 交叉污染 工艺流程 清洗效果 铁镍
6. 一种最新的等离子体腐蚀技术-TM-ECR原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:黎星   
关 键 词:腐蚀技术 等离子体
7. 亚微米CMOS工艺设计中的几点考虑原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:张义强   
关 键 词:高压氧化 台阶覆盖 工艺技术 氧化层 硅化物 亚微米 专用集成电路 工艺设计 硅化钛 CMOS工艺
8. 厚膜浆料及其应用 (被引次数:6) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:王毅    作者单位:航天部西安微电子所
扼要介绍厚膜导体浆料的类型、特点及市场潜力,厚膜浆料在混合集成电路、电子元件中的应用及相关的技术问题.
关 键 词:电子浆料 厚膜浆料
9. 南朝鲜各公司急于增产16M DRAM原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:益民   
关 键 词:工厂建设 月产量 三星电子公司 南朝鲜 生产线
10. 氮离子注入特性研究原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 004期    作者:张义强    作者单位:无锡华润微电子有限公司
该文描述了硅中氮离子注入及其对硅热氧化生长的抑制作用.通过硅中氮离子注入,可获得高质量的薄氧化层.实验表明,只要氯离子注入条件选择合适,得到的薄氧化层的漏电和击穿都有明显改善,其氧化电荷并无较大增加.
关 键 词:注入特性 氧化层厚度 注入剂量 低能氮离子注入