微电子技术
Microelectronic Technology
本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物，国内外公开发行。它是由信息产业部主管，中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象，是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
024 卷
003期
作者:李立芳
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
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| 关 键 词：掩模 IC 精密掩模 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:张纯蓓
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
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| 关 键 词：IC市场 微机 计算机 显示器 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:黄卫
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 关 键 词：电子束 剖面分析 扫描电镜 二次电子发射 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:长风
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| 关 键 词：第三季度 销售额 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:于向东
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
| 在发展流动亚相法制备高粘度聚合物分子单层膜装置的基础上,研究制备大面积、高质量的PMMALB膜抗蚀层,并用于100mmCr掩模版的电子束光刻制造技术中,采用现行标准的湿法工艺获得了分辨率为0.5μm, |
| 关 键 词：铬掩模版制造 高分辨率光刻 电子束 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:吴长明
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文通过对气体压力、射频功率、电极间距、气体流量等初始工艺参数的选取研究,优化工艺,从而得到优化的多晶硅刻蚀工艺.对1μm多晶硅条宽,CD严格控制在1±0.1μm内,保证了器件的参数要求,为研制1MD |
| 关 键 词：射频功率 多晶硅 均匀性 腐蚀速率 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:吕军
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文详细阐述了1兆位电路接触孔/通孔全干法终点监控刻蚀工艺及后处理技术.扫描电镜分析表明,经该技术刻蚀后的接触孔/通孔底部条宽损失小于0.1μm,侧壁过渡平缓,有利于金属的覆盖. |
| 关 键 词：各向异性刻蚀 各向异性腐蚀 各向同性腐蚀 聚合物 均匀性 工艺条件 接触孔 腐蚀速率 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:益国
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| 关 键 词：上市量 半导体产品 台湾地区 10年间 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:刘显明
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化.在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素,使栅氧化层质量难于提高.本研究从根本上改变这种流程,利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层, |
| 关 键 词：简化工艺 MOS工艺 常规工艺 栅氧化层 栅介质层 经济效益 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:顾伟发
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
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| 关 键 词：数据交换 文本文件 文本数据 电子设计自动化(EDA) CAT系统 文件头 SUN工作站 测试系统 测试码 换行符 |
