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期刊封面
双月刊  1972
期刊信息
主管单位: 信息产业部
主编: 桑宇清
ISSN: 1008-0147
CN: 32-1479/TN
地址: 江苏省无锡市梁溪路14号(无锡105信箱)
邮政编码: 214061
电话: 0510-85807123-2228
Email: qbzls@mail.huajing.com.cn
网址:

微电子技术

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Microelectronic Technology

本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物,国内外公开发行。它是由信息产业部主管,中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象,是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。

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1. 三洋电机公司开发长时间声音录音再生LSI原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:一凡   
关 键 词:日本三洋电机公司 录音再生 长时间
2. 加快0.8μM生产线建设,把我国集成电路大生产技术提高到一个新水平(代序)原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:江福来    作者单位:无锡华润微电子有限公司
关 键 词:生产线建设 集成电路 大生产技术 新水平
3. 亚微米BICMOS工艺技术原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:ROBERTH·HAVEMANN   
BICMOS是双极的速度和驱动能力与CMOS的高密度和低功耗的结合.考虑到功耗原因,BICMOS器件主要以CMOS为主.因此,双极器件通常并入CMOS核心工艺流程.当器件尺寸减小时,双极和CMOS技术
关 键 词:BICMOS 工艺技术 氧化层 亚微米 双极器件 发射极 双极晶体管
4. 沉积和离子散射对亚微米SIO_2刻蚀剖面控制的影响原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:H.SHAN   
该文阐述了在亚微米接触孔,通孔及沟槽的SiO2刻蚀工艺中,沉积和离子散射对剖面的影响,对多层结构SiO2的刻蚀也进行了研究.我们观察到总的气体流量、局部沉积和温度都将对剖面产生很大影响,与其它有关大功
关 键 词:亚微米 中性基团 刻蚀剖面 聚合物 特征尺寸 纵横比 沉积速率 接触孔
5. 一种适合于ASIC应用的新的工艺技术-CMOS逻辑VLSI E~2PROM的单片集成原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:MASATAKA   
我们开发了一种新的工艺技术,实现了在CMOSVLSI制造中嵌入E2PROM的制造技术.在此新工艺中,制造的是学层多晶硅的E2PROM.与传统的双层多晶硅E2PROM的工艺相比,减少了25%的工序.通过
关 键 词:ASIC 逻辑电路 工艺技术 VLSI E~2PROM 双层多晶硅 CMOS电路
6. 双层金属工艺中的IMD-PETEOS原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:GRAHAMW.   
该文讨论了PETEOS在金属层间介质(MD)上的运用,并就其运用于亚微米CMOS、双层金属工艺中所要求的一些电、机械及结构方面的特性进行了探讨研究.
关 键 词:双层金属 形貌 密度区域 腐蚀方法 介质层 中间过渡层 光刻胶 腐蚀速率 纵宽比 介质膜
7. 斜角及旋转式离子注入技术原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:PIETEYBURGGRAAF   
灵活的硅片定向定位注入-先进的CMOS器件制造技术对离子注入技术发展的新要求.
关 键 词:离子注入技术 旋转式 注入机
8. 半导体生产中硬质掩蔽层(SIN,SIN/POLY)的去除原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:JOHNF.R.   
半导体生产对掩蔽层有强烈的依赖关系.因为在许多步骤中,掩蔽层对其下层结构有保护作用.大家熟悉的光刻软质膜基本是由有机材料组成的.至于硬质掩蔽层,象局部氧化用(LOCOS)SiN层,是无机的,它可承受更
关 键 词:掩蔽层 干法工艺 湿法工艺 半导体生产
9. 第四届固体和集成电路技术国际会议在京召开原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:辰申   
关 键 词:固体 集成电路技术 国际会
10. TIN-优质的阻挡层 (被引次数:4) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1995年 006期    作者:JOHNHEMS   
面对4MbDRAM工艺对氮化钛阻挡层的展望
关 键 词:扩散阻挡层 反应溅射 接触电阻 接触孔 微裂缝