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期刊封面
双月刊  1972
期刊信息
主管单位: 信息产业部
主编: 桑宇清
ISSN: 1008-0147
CN: 32-1479/TN
地址: 江苏省无锡市梁溪路14号(无锡105信箱)
邮政编码: 214061
电话: 0510-85807123-2228
Email: qbzls@mail.huajing.com.cn
网址:

微电子技术

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Microelectronic Technology

本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物,国内外公开发行。它是由信息产业部主管,中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象,是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。

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21. 作毫米波开关的应变层PIN二极管原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期   
Daimlar Chrysler Research Center and Umiversity of Ulm首先报道了在GaAs衬底上生长应变In 0.52 Ga 0.48 As PIN二极管,并可用
关 键 词:PIN二极管 毫米波 应变层
22. 塑封生产中缩短后固化时间工艺研究 (被引次数:1) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期    作者:费锐    作者单位:无锡华润微电子有限公司
该文主要从抗弯强度,抗湿性和耐热性能三个方面进行理论分析,论证缩短后固化时间的可行性,并通过大量的试验考核,检验符合IC性能要求.
关 键 词:后固化 抗弯强度 玻璃化温度 交联度
23. FT为362GHZ 50NM INP HEMT原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期   
日本富士通公司采用MOCVD方法在Inp衬底上生长晶格匹配In 0.52 A1 0.48 As/In 0.53 Ga 0.47 As HEMT。这种HEMT的50mm T型Ti/Pe/Au栅制作可在小
关 键 词:晶格匹配 δ掺杂层 HEMT 截止频率 富士通
24. CD8189CP双卡录音机前置放大电路原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期   
关 键 词:前置放大电路 CD81 双卡录音机 放音放大器 录音放大器 最大输出电压
25. 大型集成电路塑封模具设计 (被引次数:7) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期    作者:把东    作者单位:无锡华晶利达电子有限公司
该文介绍了适用于KTS-250S4型压力机使用的一模320腔大型塑封模,及模具的结构、设计要点.
关 键 词:塑封 引线框架 冲塑
26. CMOS模拟开关及其选择问题 (被引次数:25) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期    作者:宋吉江    作者单位:山东淄博学院
该文阐述了CMOS模拟开关的结构特点,简要介绍了几种典型的CMOS开关及其应用.
关 键 词:CMOS 模拟开关 导通电阻 电压
27. 世纪之交,中国半导体业聚集北京原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期   
世纪之交的中国半导体工业迎来了自己的盛大节日。2001年5月15日至16日,第三届中国半导体行业协会二届五次暨三届一次会员大会于北京万寿宾馆隆重召开! 来自信息产业部、各地区会员等81家单位的领导、专
关 键 词:信息产业部 世纪之交 半导体工业 半导体行业 半导体业 半导体集成电路 半导体分立器件
28. 新开发的千兆位级DRAM用高介电常数膜成膜装置原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期   
为制成千兆位级DRAM,人们期望可实现单元电容器微细化的高介电常数膜材料。为此,开发了SiO2,膜/氮化膜、Ta2O5膜等。而且,也期待开发高介电常数电容器材料——钛酸钡锶氧化膜(BST:(BaSr)
关 键 词:成膜技术 新开发 高介电常数 位级
29. 软件无线电接收机简介及浅析 (被引次数:18) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期    作者:谢威    作者单位:解放军理工大学通信工程学院
该文介绍了理想软件无线电、中频数字化、超外差及零中频这四种目前主要的软件无线电接收机结构,并简要分析了这些结构的特点.该文还对零中频接收机的直流漂移问题及其解决方案进行了分析.
关 键 词:软件无线电 模数转换 超外差 零中频 直流漂移 泄漏 补偿
30. 0.5W 40% PAE K波段INP DHBT MMIC原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   2001年 003期   
TRW公司已研制成全单片InP DHBT功率的放大器,在21GHz下,输出功率为0.5W PAE为40%,这种功率放大器应用于通信卫星和LMDS系统。这种MMIC有8个1.5μm×30μm发射极条,总
关 键 词:K波段 功率放大器 输出功率 MMIC