期刊封面
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| 双月刊 1972 |
期刊信息
| 主管单位： | 信息产业部 |
| 主编： | 桑宇清 |
| ISSN： | 1008-0147 |
| CN： | 32-1479/TN |
| 地址： | 江苏省无锡市梁溪路14号（无锡105信箱） |
| 邮政编码： | 214061 |
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微电子技术
Microelectronic Technology
本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物，国内外公开发行。它是由信息产业部主管，中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象，是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。
| 刊内检索 |
- 目录 << 1994年 005 期 >>
| 21. 适用于0.5μM器件的TIN阻挡层和AL平坦化的PVD集成工艺 |
| [中文期刊] 刊名:《微电子技术》 1994年 005期 | |
| 该文介绍了为优化0.5μm器件而对用于常规铝的TiN阻挡层形成和热平坦化铝所做的研究结果.采用金属退火集群组合设备原位形成TiN阻挡层.讨论了铝平坦化工艺.介绍了漏电流和电迁移研究中取得的电特性结果. | |
| 关 键 词：TIN阻挡层 反应溅射 漏电流 平坦化 退火温度 0.5μM |