微电子技术
Microelectronic Technology
本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物，国内外公开发行。它是由信息产业部主管，中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象，是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:顾伟发
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| |
| 关 键 词：数据交换 文本文件 文本数据 电子设计自动化(EDA) CAT系统 文件头 SUN工作站 测试系统 测试码 换行符 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:刘显明
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 常规MOS工艺流程是先场氧后栅氧化.在场氧化过程中会产生许多影响其后栅氧化质量的因素,使栅氧化层质量难于提高.本研究从根本上改变这种流程,利用抗场氧化的Si3N4和一次氧化层直接作MOS管的栅介质层, |
| 关 键 词：简化工艺 MOS工艺 常规工艺 栅氧化层 栅介质层 经济效益 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:吴长明
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文通过对气体压力、射频功率、电极间距、气体流量等初始工艺参数的选取研究,优化工艺,从而得到优化的多晶硅刻蚀工艺.对1μm多晶硅条宽,CD严格控制在1±0.1μm内,保证了器件的参数要求,为研制1MD |
| 关 键 词：射频功率 多晶硅 均匀性 腐蚀速率 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:松川
|
| |
| 关 键 词：电子产业 LG公司 投资额 1996年上半年 三星电子公司 扩大生产能力 南朝鲜 生产线 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1996年
003期
作者:潘志宣
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
| 该文介绍了一种在多晶硅上应用两次离子注入制作高精度电阻的方法,在实际的2μmCMOS电路生产中获得了成功应用.作者试图运用晶粒间界模型解释此过程的反常退火现象,并运用一套较为合理的工艺方案,达到了预期 |
| 关 键 词：离子注入 方块电阻 多晶硅 退火 |
