微电子技术
Microelectronic Technology
本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物，国内外公开发行。它是由信息产业部主管，中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象，是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:叶新民
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
| 该文针对变容二极管生产难点:C－V曲线的控制,在理论上分析了PN结纵横向结构对PN结C－V特性、串联电阻、反向电流的影响,得出了适当减小芯片面积,调高杂质浓度可以不增大串联电阻而减小反向电流、改善C－ |
| 关 键 词：变容二极管 C－V特性 串连电阻 反向电流 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:曹旻
作者单位:上海大学 |
| 研究应用程序间的通信,尤其是在网络间的通信,具有重要意义.WINDOWS网络操作系统提供了几种不同的信息交换方式,例如网络DDE、WINDOWSSOCKETS和管道等,但有些方法在运行于目前流行的WI |
| 关 键 词：网络DDE DDESHARE 注册函数 WINDOWSSOCKETS |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:梁斌
|
| |
| 关 键 词：优先发展 韩国企业 韩国政府 基础研究 高集成度 韩国经济 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:邓君龙
作者单位:无锡华润微电子有限公司 |
| 当集成电路制造工艺线宽进入亚微米领域时,精确、稳定的测试亚微米、深亚微米线宽/间距尺寸,将成为重要而迫切的研究课题.该文主要阐述以光学原理为基础的共焦显微技术,以及利用共焦技术制造的LWM200型测试 |
| 关 键 词：共焦显微技术 CD值 定义缺陷尺寸 NIPKOW盘 STEPPER版 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:潘云芳
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 1/f噪声,由于其反映了器件的质量、可靠性等参数,其研究越来越为人们所重视.该文首先较为系统地介绍了1/f噪声源两种较为成熟的理论:载流子数涨落和迁移率涨落模型,最后将研究MOS晶体管中1/f噪声的现 |
| 关 键 词：载流子数涨落模型(△N) 迁移率涨落模型(△μ) |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:皇甫伟
作者单位:清华大学 |
| |
| 关 键 词：高速集成电路 接口技术 超大规模集成电路 CMOS电路 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
|
| |
| 关 键 词：科技工作者 科技兴企战略 奖励办法 "二次创业" 科技创新 科技是第一生产力 科技工作报告 科技持续发展 质量振兴纲要 科技人员 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:盛柏桢
作者单位:南京电子器件研究所 |
| 该文主要叙述用各种材料制作的异质结双极晶体管的结构、特性及其应用情况. |
| 关 键 词：GAAS INP SIGE 异质结双极晶体管 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:于宗光
作者单位:中国华晶电子集团公司中央研究所 |
| 该文在测试分析N+理层?隧道氧化层一多晶硅电容(N+OP电容)、P衬底一隧道氧化层一多晶硅电容(POP电容)和EEPROM单元隧道氧化层电容(TOP电容)的I－V特性、I－t特性、V－t特性的基础上, |
| 关 键 词：隧道氧化层 击穿 可靠性 |
| [中文期刊]
刊名:《微电子技术》
1999年
001期
作者:王传声
作者单位:合肥信息产业部43所 |
| 该文评述了三种高导热基板材料应用于混合微组件的可行性,并对热导率、热膨胀系数(CTE)、介电常数、抗弯强度等特性进行了详细介绍,比较了这些基板材料的优缺点. |
| 关 键 词：混合电路 陶瓷 基板 热导率 |
