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期刊封面
双月刊  1972
期刊信息
主管单位: 信息产业部
主编: 桑宇清
ISSN: 1008-0147
CN: 32-1479/TN
地址: 江苏省无锡市梁溪路14号(无锡105信箱)
邮政编码: 214061
电话: 0510-85807123-2228
Email: qbzls@mail.huajing.com.cn
网址:

微电子技术

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Microelectronic Technology

本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物,国内外公开发行。它是由信息产业部主管,中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象,是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。

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1. 日立/TI公司共同开发适于批量生产的64M DRAM原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:一凡   
关 键 词:批量生产 共同开发 缺陷弥补 微细加工技术 耗散电流 新型高效率 低噪声设计
2. 毫米波通信用的晶体管原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:一凡   
关 键 词:毫米波通信 晶体管
3. 薄膜SOI器件和材料的研究和发展方向原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:舒学镛    作者单位:无锡华润微电子有限公司
随着微电子技术的高速发展,尤其是微细加工技术的突破,器件按比例缩小至涤亚微米(0.25μm)以下时,传统体硅工艺已不适用了,而薄膜SOI器件因具有集成度高、工作速度快、抗辐照能力强以及工艺简便等优点而
关 键 词:薄膜SOI 研究和发展 SIMOX SOI技术 MOS器件 均匀性 离子注入 热载流子 研究动向 SOI器件
4. 富士通研制成第二代量子效应晶体管原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:一凡   
关 键 词:富士通 量子效应 晶体管 发射极
5. 世界半导体市场动向原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期   
关 键 词:
6. 采用DRAM技术的神经LSI原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:一凡   
关 键 词:声音识别 信息处理结构 神经 耗散功率 计算机 基本电路 图像处理 细胞结合 便携式电子设备
7. 日本工业用/民生用电子设备生产动向原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期   
关 键 词:电子设备
8. 试论发展我国集成电路产业的几个重要方面 (被引次数:1) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:陈中佛    作者单位:无锡华润微电子有限公司
关 键 词:建设周期 IC产业 生产技术 集成电路产业
9. 用于新型亚微米存储器间隙充填和平面化的低温亚压CVD(SACVD)USG/PSG工艺 (被引次数:1) 原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期   
关 键 词:充填能力 亚微米 平面化 储器 工艺条件 腐蚀速率 淀积速率
10. 非对称L_(DD)新结构原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 005期    作者:初桂珍    作者单位:无锡华润微电子有限公司
该文介绍一种用于超大规模集成电路的最新非对称轻掺杂漏(LDD)结构.该结构采用液相选择氧化物淀积技术和离子注入技术.在MOS晶体管的漏端形成轻掺杂的N-或P-区.使LDD结构源端串联电阻大大减小.这种
关 键 词:选择氧化 导通电流 LDD结构 漏电流 MOS晶体管 CMOS工艺 非对称 轻掺杂