全部字段 标题 作者 授予单位 关键词 
当前位置:首页>学术期刊>中文期刊>微电子技术
期刊封面
双月刊  1972
期刊信息
主管单位: 信息产业部
主编: 桑宇清
ISSN: 1008-0147
CN: 32-1479/TN
地址: 江苏省无锡市梁溪路14号(无锡105信箱)
邮政编码: 214061
电话: 0510-85807123-2228
Email: qbzls@mail.huajing.com.cn
网址:

微电子技术

分享到:
Microelectronic Technology

本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物,国内外公开发行。它是由信息产业部主管,中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象,是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。

  •     目录   << 1994年 004 期 >>
1. 日立与TI公司共同开发了适于批量生产的64MDRAM原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:长城   
关 键 词:批量生产 低电压 微细加工技术 功耗电流 德克萨斯仪器公司 共同开发 电源布线 低噪声设计
2. TEOS减压CVD膜形成中的加水效果原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:反田哲史   
关 键 词:CVD膜 台阶覆盖 成膜分子 表面粘附 覆盖率 聚合物浓度 TEOS 覆盖性 添加效果 成膜速度
3. 莫托罗拉公司开始批量生产具有高速存取时间的1M/256KSRAM原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:湖心   
关 键 词:高速存取时间 批量生产 莫托罗拉公司
4. 采用有机源的金属层间膜的平坦化技术原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:金井史幸   
关 键 词:流量比 等离子氧化 有机源 CVD技术 平坦化技术 TEOS 聚合体 金属层 高分子量
5. 采用O_3-TEOS-BPSG膜和三步~(RF)偏压溅射法形成的平坦化技术原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:小室雅宏   
关 键 词:偏压溅射 CVD法 平坦化技术 TEOS 等离子
6. TEOS-O_3常压CVD膜形成中的醇类添加效果原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:池田浩一   
关 键 词:CVD膜 TEOS 氧供给量 极大点 沉积速度
7. 杜邦公司与中国广东省设立合作公司从95年后半年开始生产厚膜胶原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:益群   
关 键 词:中国广东 开始生产 杜邦公司 厚膜
8. TEOS-O_3系常压CVD技术原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:松浦正纯   
关 键 词:流量比 形成温度 形成速度 形成条件 CVD技术 TEOS 热氧化膜 等离子 底表面 形成特性
9. H_2O-TEOS等离子CVD技术原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:谷村雄二   
关 键 词:等离子体处理 等离子处理 流量比 CVD技术 脉冲激励 TEOS 聚合体 连续激励 单元工艺 腐蚀速率
10. SGS-汤姆逊公司再次供应表面组装的高速OTPROM原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1994年 004期    作者:万向   
关 键 词:汤姆逊 表面组装