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期刊封面
双月刊  1972
期刊信息
主管单位: 信息产业部
主编: 桑宇清
ISSN: 1008-0147
CN: 32-1479/TN
地址: 江苏省无锡市梁溪路14号(无锡105信箱)
邮政编码: 214061
电话: 0510-85807123-2228
Email: qbzls@mail.huajing.com.cn
网址:

微电子技术

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Microelectronic Technology

本刊是国家科技部、国家新闻出版局批准的国家正式出版物,国内外公开发行。它是由信息产业部主管,中国华晶电子集团公司主办的科学技术刊物。本刊以从事半导体和做电子研究与生产的在职职员、科研学者、大中专院校师生以及电子行业的各级管理人员和计算机、通信、电子系统应用单位的技术人员为主要对象,是一种集学术性、技术性、应用性、信息性于一体的科技刊物。

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1. 用受控反应工艺制作Si―Si1―xGex异质结双极晶体管原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:King,CA   
关 键 词:双极晶体管 受控反应工艺 异质结
2. 小尺寸,高性能Si―Si1―xGex异质结双极晶体管原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Kami.,TI   
关 键 词:双极晶体管 异质结器件 SiSiGe
3. 微电子工艺设备的新发展:集群组合设备原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:石松   
关 键 词:微电子器件 设备 工艺 组合设备
4. Si―Ge基区双极晶体管的基区―集电区异质结效应原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Ugaji,M   
关 键 词:双极晶体管 集电区 异质结效应
5. 硅锗异质结双极晶体管最小基区渡越时间的纵向掺锗分布原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Wint.,SS   
关 键 词:双极晶体管 异质结 基区 锗分布
6. 用快速加热CVD生长的具有近理想电学特性的梯度基区Si/Si1―xGex/SiHBT原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Sturm,JC   
关 键 词:双极晶体管 CVD生长 梯度基区
7. Si/Si1―xGex异质结双极晶体管的高速特性原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Won,T   
关 键 词:双极晶体管 异质结 高速特性
8. 分子束外延硅―锗基区异质结双极晶体管原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Patton,G   
关 键 词:双极晶体管 分子束外延 硅-锗基区
9. GeSi―HBT研究报告原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:郑宜钧   
关 键 词:双极晶体管 硅异质器件 GeSi-HBT
10. Si/SiGe异质结双极ECL电路的传输延迟预测原文获取 
[中文期刊]   刊名:《微电子技术》   1993年 021 卷 006期    作者:Shafi,ZA   
关 键 词:ECL电路 异质结器件 Si/SiGe